内存条ddr3和ddr4区别外观_内存条ddr3和ddr4哪个好

1.笔记本内存条ddr4和ddr3的区别？

2.内存DDR4和DDR3的区别

3.DDR4与DDR3之间原理与设计上有什么区别吗

4.电脑内存条DDR3.和DDR4怎么区分?

5.浅谈DDR4和DDR3内存的区别

6.ddr4的内存条爱ddr3强多少

1.DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状

2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz

3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB

4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低

这是我百度的。哈哈哈，总的来说，只要你的电脑平台支持ddr4，就上ddr4，频率比ddr3的高，一般ddr4的都在2133到2666MHz，DDR3的1866向下、1600、1333的。

而且价格不高，跟ddr3的一样，我参考的是天猫跟京东价格。哈哈

笔记本内存条ddr4和ddr3的区别？

电脑运行内存条DDR3和DDR4的区别和兼容性如下：

外观变化：DDR4内存条的金手指中间有一个凹口，而DDR3没有。这使得DDR4不再兼容DDR3。如果想要换上DDR4的内存，需要更换支持DDR4内存的主板。

内存频率：DDR3内存的起始频率为800MHz，最高频率可达2133MHz。而DDR4内存的起始频率为2133MHz，最高频率可达4266MHz。这意味着DDR4内存在各方面都有着明显的提升。

容量：DDR3内存最大单条容量为64GB，市售的大多为16GB和32GB。而DDR4最大单条容量为128GB，随着容量的增大使得DDR4内存可以更多软件提供支持。

功耗：DDR4内存的工作电压进一步降低达到了1.2V，相比DDR3内存的1.5V工作电压也降低了不少。这使得内存降低用电量和发热，提升内存条的稳定性，基本不会出现发热引起的降频现象。

总结来说，DDR3和DDR4在外观、频率、容量和功耗上都有明显的差异。DDR4取代了DDR3，成为新一代主流内存条。如果想要更换DDR4内存条，需要更换支持DDR4的主板。

内存DDR4和DDR3的区别

笔记本内存条ddr4和ddr3的区别有：

外形

处理器

参数

DDR4与DDR3内存差异一：处理器

每次内存升级换代时，必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计，DDR4内存频率原生支持2133MHz，这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核，另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高，并且不会同时支持DDR3和DDR4内存，所以增加了DDR4普及的门槛。

DDR4与DDR3内存差异二：外型

DDR4金手指变化较大

宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了，并没有沿着直线设计，这究竟是为什么呢？一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。

接口位置同时也发生了改变，金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。

DDR4与DDR3内存差异三：参数

DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。

从宇瞻32GB?DDR4-2133内存来看，仅默认频率带宽就高达48.4GB/s，可见DDR4对系统性能提升重要性。

另外就是其它参数的改变，比如容量和电压。

DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。而电压方面，DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD?DR4的电压还会降得更低。

参考资料

内存条.ZOL[引用时间2017-12-24]

DDR4与DDR3之间原理与设计上有什么区别吗

有七个方面的区别；

1.外观

DDR4模组上的卡槽与 DDR3 模组卡槽的位置不同。两者的卡槽都位于插入侧，但 DDR4 卡槽的位置稍有差异，以便防止将模组安装到不兼容的主板或平台中。

2.容量

相较于DDR3，DDR4理论上每根DIMM模块能达到512GiB的容量，而DDR3每个DIMM模块的理论最大容量仅128GiB。

3.速度

DDR3的最高速率为2133MT/s ，DDR4的数据传输率也从2133MT/s起跳，最高速率在2013年的标准中暂定为4266MT/s。

5.能耗

DDR3的工作电压是1.5V，而DDR4是1.2V，并且能源节省高达40%。

6.性能

在Anandtech的独立测试中， DDR4的性能比DDR3略好，但差距很小。

7.价格

一般新的内存类型初上市时，其价格都会比较高。随着时间推移，它的价格会下降到上一代产品的水平，然后大量普及，取代上一代产品。

DDR?又称双倍速率SDRAM，Double?Date?Rate?SDRSM?DDR?SDRAM?是一种高速CMOS动态随即访问的内存。美国JEDEC?的固态技术协会于2000?年6?月公布了双数据速率同步动态存储器(DDR?SDRAM)规范JESD79，?由于它在时钟触发沿的上下沿都能进行数据传输，所以即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到2.128GB/s?。

DDR?不支持3.3V?电压的LVTTL?，而是支持2.5V?的SSTL2标准，它仍然可以沿用现有SDRAM?的生产体系，制造成本比SDRAM?略高一些，但远小于Rambus的价格。DDR存储器代表着未来能与Rambu?相抗衡的内存发展的一个方向。

参考资料

DDR4 内存是什么？- 高性能 | 金士顿

DDR3/DDR4同时存在-驱动之家

电脑内存条DDR3.和DDR4怎么区分?

概括而言，区别如下：

1.DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状

2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz

3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB

4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低

详细区别包括以下5方面：

一、频率和电压

在频率方面，DDR4内存的工作频率将从2133MHz 起跳，最高甚至可以达到4266MHz。这个频率相比DDR3 内存有相当大的提升。在电压方面，DDR3 内存的工作电压为1.5V，而DDR4内存的工作电压将近一步的降低，预计最低可以做到1.2V。

二、传输机制

相对于DDR3，DDR4的一大改进就体现在信号传输机制上。它拥有两种规格:除了可支持Single-endedSignaling信号( 传统SE信号)外，还引入了DifferentialSignaling( 差分信号技术 )技术。

三、访问机制

对于DDR3内存来说，目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中，访问机制已经改为了点对点技术，这是DDR4整个存储系统的关键性设计。点对点相当于一条主管道只对应一个水箱（这种机制的改变其实并不会对传输速度产生太大的影响，因为主管道的大小并没有改变），这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。

四、封装技术

DDR4内存用3DS封装技术，3DS（3-Dimensional Stack，三维堆叠）技术是DDR4内存中最关键的技术之一，它用来增大单颗芯片的容量。在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。

五、外观

DDR3内存金手指是240个，内存金手指是平直的；而DDR4内存金手指是284个，内存金手指呈弯曲状。

浅谈DDR4和DDR3内存的区别

DDR3与DDR4的区别：

1、外观改变，DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状，这意味着，DDR4内存不再兼容DDR3，老平台电脑无法升级DDR4内存，除非将CPU和主板都更换为新平台

2、DDR4内存的进化在于频率以及带宽的提升，因此用户在更换内存之后的性能收益会更加明显。在容量、规格这个方面，DDR3内存在面对DDR4内存时也会让人明显感到性能的差距。即使是单条DDR4内存与双通道DDR3进行对比，DDR4内存也会因为规格的进化而拥有明显的性能优势。

3、规格方面，DDR3内存起始频率为800，最高频率达到了2133。DDR4内存起始频率就达到了2133，量产产品最高频率达到了3000。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/S)的带宽，因此要比DDR3高出相当多的幅度。相对于主流的DDR3-1866内存，DDR4-3200内存凭借高达51.2GB/S的带宽而拥有70%以上的性能增幅。

4、在内存性能方面，实际上DDR4内存拥有的性能提升幅度相当明显，尤其是与主流的DDR3内存组合进行对比。以DDR3-1600内存作为参考基准，DDR4内存拥有最少147%的性能提升，而如此大的幅度能够体现很明显的差异。

DDR，英文全称为：Dual Data Rate，是一种双倍速率同步动态随机存储器。严格的说，DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器，而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。

简单来说，DDR4就是第二代内存的意思，目前不少智能手机与电脑都用上了新一代DDR4内存，它属于我们熟知的DDR3内存的下一代版本，带来了更低的功耗与更出色的性能。

经历了DDR1、DDR2、DDR3内存，新一代DDR4内存也逐渐开始变得流行，无论是PC还是智能手机，如今DDR4内存可以说早已悄然流行。

ddr4的内存条爱ddr3强多少

1.外观改变

DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状，在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个。这意味着，DDR4内存不再兼容DDR3，老平台电脑无法升级DDR4内存，除非将CPU和主板都更换为新平台。

2.DDR4内存频率与带宽提升明显

频率方面，DDR3内存起始频率为800，最高频率达到了2133。DDR4内存起始频率就达到了2133，量产产品最高频率达到了3000，从内存频率来看，DDR4相比DDR3提升很大。

带宽方面，DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/S)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70%。

综合来看，DDR4内存性能最大幅度可比DDR3提升高达70%，甚至更高。

3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB

上一代DDR3内存，最大单挑容量为64GB，实际能买到的基本是16GB/32GB，而新一代DDR4内存，单条容量最大可以达到128GB，媲美SSD了。

4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低

上一代DDR3内存，用1.5V标准电压，而DDR4内存则降低为1.2V，甚至可以做到更低，功耗下降了，更省电，并且可以减少内存的发热。

1.DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状

2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz

3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB

4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低

很多电脑用户可能对于内存的内在改进不会有太多的关注，而外在的变化更容易被人发现，一直一来，内存的金手指都是直线型的，而在DDR4这一代，内存的金手指发生了明显的改变，那就是变得弯曲了，其实一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存

其次，DDR4内存的金手指本身设计有较明显变化。金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm，笔记本电脑内存上使用的SO-DIMM DDR4内存有256个触点，SO-DIMM DDR3有204个触点，间距从0.6毫米缩减到了0.5毫米。

第三，标准尺寸的DDR4内存在PCB、长度和高度上，也做出了一定调整。由于DDR4芯片封装方式的改变以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB层数相比DDR3更多，而整体尺寸也有了不同的变化，如上图。

频率和带宽提升巨大　

DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。在DDR在发展的过程中，一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代，数据预取的增加变得更为困难，所以推出了Bank Group的设计

Bank Group架构又是怎样的情况？具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据，这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升，可以同时读取大量的数据，内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上用了8n预取的Bank Group分组，包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组，这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作，从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group，相当于每次操作16bit的数据，变相地将内存预取值提高到了16n，如果是四个独立的Bank Group，则变相的预取值提高到了32n。

如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话，那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计，对于DDR3内存来说，目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中，访问机制已经改为了点对点技术，这是DDR4整个存储系统的关键性设计。

在DDR3内存上，内存和内存控制器之间的连接用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽，但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力，无论你怎么增加内存容量，性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管，但受制于主管道的大小，即便你可以增加注水管来提升容量，但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显，但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了，所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易，但却浪费了内存的位宽。

因此，DDR4抛弃了这样的设计，转而用点对点总线：内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线，点对点相当于一条主管道只对应一个注水管，这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过，点对点设计的问题也同样明显：一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存，因此如果DDR4内存单条容量不足的话，将很难有效提升系统的内存总量。当然，这难不道开发者，3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。

容量剧增 最高可达128GB

3DS（3-Dimensional Stack，三维堆叠）技术是DDR4内存中最关键的技术之一，它用来增大单颗芯片的容量。

3DS技术最初由美光提出的,它类似于传统的堆叠封装技术，比如手机芯片中的处理器和存储器很多都用堆叠焊接在主板上以减少体积—堆叠焊接和堆叠封装的差别在于，一个在芯片封装完成后、在PCB板上堆叠；另一个是在芯片封装之前，在芯片内部堆叠。一般来说，在散热和工艺允许的情况下，堆叠封装能够大大降低芯片面积，对产品的小型化是非常有帮助的。在DDR4上，堆叠封装主要用TSV硅穿孔的形式来实现。

所谓硅穿孔，就用激光或蚀刻方式在硅片上钻出小孔，然后填入金属联通孔洞，这样经过硅穿孔的不同硅片之间的信号可以互相传输。在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。

更低功耗 更低电压

更低的电压：这是每一代DDR进化的必备要素，DDR4已经降至1.2V

首先来看功耗方面的内容。DDR4内存用了TCSE ( Temperature Compensated Self-Refresh，温度补偿自刷新，主要用于降低存储芯片在自刷新时消耗的功率)、TCARtemperature Compensated Auto Refresh，温度补偿自动刷新，和T CSE类似）、DBI（Data Bus Inversion，数据总线倒置，用于降低VDDQ电流，降低切换操作）等新技术。

这些技术能够降低DDR4内存在使用中的功耗。当然，作为新一代内存，降低功耗最直接的方法是用更新的制程以及更低的电压。目前DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。而随着工艺进步、电压降低以及联合使用多种功耗控制技术的情况下，DDR4的功耗表现将是非常出色的。